此款消费级P沟道MOSFET采用DFN1006-3封装：漏源电压(Vdss)：20V，可能承载连续漏极电流(Id):600MA，RDSON:500mR，表面贴装封装，尺寸紧凑且具有良好的热性能，适用于高密度PCB布局，应用于电源管理、电机驱动、LED照明、电池管理系统以及其他需要高效能、低阻抗开关功能的电路设计中。