此款N沟道场效应晶体管采用紧凑的DFN3x3，具备漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：30A，RDS:10V@10A=28MR,广泛应用于电池管理、负载开关、电机控制、LED驱动、便携式设备、嵌入式系统及众多消费电子产品的电源管理