此款N沟道MOSFET采用TO-263封装，漏源电压(Vdss)：650V，漏极电流(Id)：16A，具有低导通电阻和快速开关功能，漏源导通电阻(RDS(on))：0.55Ω @ VGS=10V广泛应用于开关电源、马达驱动、逆变器、电池管理系统以及其他高压大电流开关应用，例如太阳能逆变系统、电源适配器、充电桩等