此款N沟道MOSFET采用TO-220F封装，漏源电压(Vdss)：500V，漏极电流(Id)：13A具有低导通电阻和快速开关功能，漏源导通电阻 (RDS(on))：0.48Ω@ VGS=10V，可适用于开关电源、电机驱动、LED照明、电池管理系统、消费类电子产品等，满足你的电路设计需求