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晶体管类型：PNP集射极击穿电压(Vceo)：30V集电极电流(Ic)：100mA功率(Pd)：200mW3KPNP,Vceo=-30V,Ic=-0.1A,hfe=220~475,丝印3K

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产品库存: ST(意法); TI(德州仪器); ADI(亚德诺); MSKSEMI（美森科）; Rockchip(瑞芯微)

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