场效应配置:N+P沟道N：VDSS耐压40V,ID电流15A,RDS(ON)导通电阻30mR@VGS10V(MAX),VGS(th)开启电压1至2.5V,
P：VDSS耐压-40V,ID电流-12A,RDS(ON)导通电阻45mR@VGS-10V(MAX),VGS(th)开启电压-1.5V至-2.5V