此款P沟道场效应管采用TO-252封装,漏源电压(Vdss):40V,连续漏极电流(Id):40A,RDS:10V@10A=12MR,非常适合于电源管理、电机控制、DC-DC转换器、电池保护电路、负载开关和各种需要高效功率控制的电子设备中