此款是N沟道增强型MOSFET，采用TO-252封装，具备漏源电压(Vdss):40V,峰值电流高达ID:50A,被广泛应用于DC-DC转换器、电池管理系统、负载开关、便携式电子设备、LED驱动电路、以及需要高效、低热耗散开关元件的其他领域