这款P沟道MOS管，采用TO-252封装,具备漏源电压(Vdss):40V,峰值电流高达ID:150A,被广泛应用于各种开关电源、负载开关、电机控制、LED驱动、电池保护电路以及其它需要高效能、低功耗开关元件的场合