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M24C08-RMN6TP 是 意法半导体(STMicroelectronics) 推出的一款 8 Kbit(1 KB)串行 EEPROM 存储器芯片。
M24C08-RMN6TP 是 意法半导体(STMicroelectronics) 推出的一款 8 Kbit(1 KB)串行 EEPROM 存储器芯片。它采用 I2C 接口,具有低功耗、高可靠性和长寿命的特点,适用于需要非易失性存储的多种应用场景。
主要特性
  1. 存储容量
    • 8 Kbit(1024 字节),组织为 128 页,每页 8 字节。
  2. 接口
    • 支持 I2C 接口,兼容标准模式(100 kHz)和快速模式(400 kHz)。
    • 支持多设备连接,通过硬件地址引脚(A0、A1、A2)实现设备寻址。
  3. 低功耗
    • 工作电流低,适合电池供电设备。
    • 待机电流极低,进一步降低功耗。
  4. 高可靠性
    • 数据保存时间长达 200 年
    • 支持 100 万次写循环,具有高耐久性。
  5. 工作电压范围
    • 宽电压范围:1.7V 至 5.5V,适用于多种电源环境。
  6. 写保护功能
    • 支持硬件写保护(WP 引脚),防止误写操作。
  7. 温度范围
    • 工业级温度范围:-40°C 至 +85°C
  8. 封装
    • 采用 SO-8 封装,尺寸小巧,易于集成。

应用场景
  • 消费电子:用于智能家居设备、遥控器、玩具等。
  • 工业设备:用于传感器校准数据存储、设备配置存储等。
  • 汽车电子:用于车载电子系统的参数存储。
  • 医疗设备:用于存储设备配置和校准数据。
  • 物联网(IoT):用于低功耗 IoT 设备的非易失性存储。

技术参数
  • 容量:8 Kbit(1024 字节)
  • 接口:I2C(支持 100 kHz 和 400 kHz)
  • 工作电压:1.7V 至 5.5V
  • 写循环次数:100 万次
  • 数据保存时间:200 年
  • 封装:SO-8
  • 工作温度:-40°C 至 +85°C

优势
  1. 低功耗:适合电池供电和低功耗应用。
  2. 高可靠性:长数据保存时间和高耐久性。
  3. 宽电压范围:适应多种电源环境。
  4. 易于集成:I2C 接口和 SO-8 封装简化设计。
  5. 写保护功能:防止误写操作,提高数据安全性。

总结
M24C08-RMN6TP 是一款高性能、低功耗的 8 Kbit 串行 EEPROM 存储器,适用于消费电子、工业设备、汽车电子、医疗设备和物联网等多种领域。其高可靠性、宽电压范围和易于集成的特点使其成为非易失性存储应用的理想选择。